상세 설명
우리는 2인치에서 8인치 직경의 열산화 실리콘 웨이퍼를 제조하며, 다양한 응용 요구에 맞추어 CZ 및 FZ 기판 웨이퍼를 모두 사용합니다. 산화막 두께 범위는 수십 나노미터의 얇은 게이트 품질 산화막부터 2마이크로미터를 초과하는 두꺼운 필드 산화막까지 포함하며, 모두 고객 사양에 따라 엄격한 허용 오차 내에서 정밀하게 제어됩니다. 건식 산화와 습식 산화 공정을 모두 제공하며, 건식 산화는 게이트 절연체 응용에 이상적인 더 조밀한 산화막과 높은 유전 강도를 생성하고, 습식 산화는 두꺼운 산화막 요구에 적합한 빠른 성장 속도를 가능하게 합니다. 열산화로 성장된 SiO2 층은 우수한 전기 절연 특성, 뛰어난 표면 패시베이션, 이온 주입 및 확산 공정에 효과적인 마스킹 기능을 제공하여 열산화 실리콘 웨이퍼가 수많은 반도체 제조 공정에 필수적입니다.
| Parameter Category | Specifications |
|---|---|
| Substrate Diameter | 2 인치에서 8 인치 |
| Base Wafer | CZ 또는 FZ 연마된 실리콘 웨이퍼 기판 |
| Oxide Layer Thickness | 10 nm (얇은 게이트 산화막)에서 2 μm (두꺼운 필드 산화막); 맞춤 두께 가능 |
| Thickness Uniformity | ≤ ±3% |
| Oxidation Process | 건식 열산화, 습식 열산화 |
| Process Features |
건식 산화: 조밀한 필름 구조, 높은 파괴 전압 — 게이트 산화막에 이상적
|
| Breakdown Electric Field | ≥ 8 MV/cm |
| Dielectric Constant | 안정적이고 일관됨 |
| Pinhole Density | 매우 낮음 |
| Substrate Doping | N형 또는 P형 (선택 사항) |
| Crystal Orientation | <100> 또는 <111> |
| Resistivity Range | 넓은 범위 가능 (맞춤형) |
| Backside Treatment | 산화막 유지; 연마/연삭으로 산화막 제거; 뒷면 금속화 |
| Quality Documentation | 배치별 다중 지점 산화막 두께 테스트 보고서, 균일성 데이터, 전기적 성능 테스트 결과 |
| Applications | IC 유전체층, 전력 소자 패시베이션, MEMS 구조층, 반도체 공정 연구개발, 실험실 교육 |
자주 묻는 질문
네.
네, 귀하의 요구에 따라 제품에 라벨을 붙일 수 있습니다. 내부 및 외부 라벨 모두 가능합니다.
네, 저희는 장쑤에 공장이 있습니다. 저희 회사와 공장을 방문하시는 것을 환영합니다.
저희의 주요 초점은 제품 공정과 생산 주기에 있습니다.
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