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열산화 실리콘 웨이퍼 2-8인치 SiO2 층 기판

IC 유전체 및 MEMS 응용을 위한 정밀 제어된 SiO2 층을 가진 2-8인치 열산화 실리콘 웨이퍼.

기판 직경
2인치에서 8인치
기본 웨이퍼
CZ 또는 FZ 연마된 실리콘 웨이퍼 기판
산화막 두께
10nm (얇은 게이트 산화막)에서 2 μm (두꺼운 필드 산화막); 맞춤 두께 가능
두께 균일성
≤ ±3%

상세 설명

우리의 열산화 실리콘 웨이퍼는 고품질 연마된 실리콘 기판 웨이퍼 표면에 균일하게 성장된 이산화규소(SiO2) 절연층을 특징으로 하는 특수 반도체 기판입니다. 열산화 실리콘 웨이퍼는 제어된 노 대기에서 고온 열산화 공정을 통해 생산되며, 산소 또는 수증기가 1000도 이상의 온도에서 실리콘 표면과 반응하여 웨이퍼 전체 표면에 걸쳐 정밀한 두께 제어가 가능한 조밀하고 고품질의 SiO2 층을 성장시킵니다.

우리는 2인치에서 8인치 직경의 열산화 실리콘 웨이퍼를 제조하며, 다양한 응용 요구에 맞추어 CZ 및 FZ 기판 웨이퍼를 모두 사용합니다. 산화막 두께 범위는 수십 나노미터의 얇은 게이트 품질 산화막부터 2마이크로미터를 초과하는 두꺼운 필드 산화막까지 포함하며, 모두 고객 사양에 따라 엄격한 허용 오차 내에서 정밀하게 제어됩니다. 건식 산화와 습식 산화 공정을 모두 제공하며, 건식 산화는 게이트 절연체 응용에 이상적인 더 조밀한 산화막과 높은 유전 강도를 생성하고, 습식 산화는 두꺼운 산화막 요구에 적합한 빠른 성장 속도를 가능하게 합니다. 열산화로 성장된 SiO2 층은 우수한 전기 절연 특성, 뛰어난 표면 패시베이션, 이온 주입 및 확산 공정에 효과적인 마스킹 기능을 제공하여 열산화 실리콘 웨이퍼가 수많은 반도체 제조 공정에 필수적입니다.



각 열산화 실리콘 웨이퍼는 다중 측정 지점에서 엘립소미터를 사용한 산화막 두께 측정, 웨이퍼 표면 전반의 균일성 분석, 수은 프로브 테스트를 통한 핀홀 검출, 표면 입자 검사, 유전 파괴 전압 테스트 등 엄격한 품질 검증을 거쳐 신뢰할 수 있는 절연 성능과 일관된 전기적 특성을 보장합니다. 산화막은 우수한 스텝 커버리지, 낮은 결함 밀도, 일관된 굴절률 특성을 갖추어 장치 성능과 제조 수율에 매우 중요합니다. 당사의 열산화 실리콘 웨이퍼 제품은 집적 회로 제조, 전력 소자 제작, MEMS 구조층 형성, 유전체층 연구, 후속 박막 증착 및 리소그래피 공정용 기판 등 다양한 분야에 광범위하게 적용됩니다.


Parameter Category Specifications
Substrate Diameter 2 인치에서 8 인치
Base Wafer CZ 또는 FZ 연마된 실리콘 웨이퍼 기판
Oxide Layer Thickness 10 nm (얇은 게이트 산화막)에서 2 μm (두꺼운 필드 산화막); 맞춤 두께 가능
Thickness Uniformity ≤ ±3%
Oxidation Process 건식 열산화, 습식 열산화
Process Features 건식 산화: 조밀한 필름 구조, 높은 파괴 전압 — 게이트 산화막에 이상적
습식 산화: 빠른 성장 속도 — 두꺼운 산화막 제작에 이상적
Breakdown Electric Field ≥ 8 MV/cm
Dielectric Constant 안정적이고 일관됨
Pinhole Density 매우 낮음
Substrate Doping N형 또는 P형 (선택 사항)
Crystal Orientation <100> 또는 <111>
Resistivity Range 넓은 범위 가능 (맞춤형)
Backside Treatment 산화막 유지; 연마/연삭으로 산화막 제거; 뒷면 금속화
Quality Documentation 배치별 다중 지점 산화막 두께 테스트 보고서, 균일성 데이터, 전기적 성능 테스트 결과
Applications IC 유전체층, 전력 소자 패시베이션, MEMS 구조층, 반도체 공정 연구개발, 실험실 교육


경험 많은 열산화 실리콘 웨이퍼 공급업체로서, 우리는 건식 산화 및 습식 산화 성장 옵션을 모두 제공하며, 기판 웨이퍼 저항률, 결정 방향, 뒷면 표면 처리(산화막 제거 또는 금속화 옵션 포함)에 대한 맞춤 사양도 지원합니다. 모든 열산화 실리콘 웨이퍼는 클래스 100 클린룸 환경에서 처리 및 포장되어 반도체 제조업체와 연구 기관이 장치 제작 및 실험 작업에 의존하는 일관된 품질을 제공합니다. 소량 연구개발 수량부터 대량 생산까지 유연한 주문 크기를 제공하며, 모든 배치에 대해 완전한 품질 문서와 기술 지원을 제공합니다. 또한 요청 시 맞춤 산화막 패터닝 및 부분 산화 서비스를 제공하여 고객이 사전 처리된 기판을 받아 장치 개발 주기를 가속화하고 내부 처리 단계를 줄일 수 있도록 지원합니다.

자주 묻는 질문

샘플을 받을 수 있나요?

네.

제품에 제 로고나 디자인을 사용할 수 있나요?

네, 귀하의 요구에 따라 제품에 라벨을 붙일 수 있습니다. 내부 및 외부 라벨 모두 가능합니다.

공장이 있나요?

네, 저희는 장쑤에 공장이 있습니다. 저희 회사와 공장을 방문하시는 것을 환영합니다.

귀하의 공장 생산 능력은 얼마입니까?

저희의 주요 초점은 제품 공정과 생산 주기에 있습니다.

배송은 언제 이루어지나요?

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