사파이어, 실리콘 또는 실리콘 카바이드 기판 위에 다양한 맞춤형 에피택셜 층 구조를 갖춘 핵심 MOCVD 기술로 제작된 이 실리콘 및 GaN 에피택셜 웨이퍼(EPI) 제품은 우수한 전기적 성능을 제공하며 소비자, 산업, 군사 및 항공우주 전자 분야에서 널리 사용되는 중요한 기초 재료입니다.
주류 에피택셜 재료
질화 갈륨 (GaN)
일반 기판 재료
사파이어/실리콘 (Si)/실리콘 카바이드 (SiC)
표준 양자우물 수량
일반 설계에서 5개의 양자우물
사용 가능한 전도성 유형
P/P++; N/N++; N/N+; N/N+/N++; N/P/P; P/N/N+
상세 설명
에피택셜 웨이퍼(EPI)는 주로 P형 층, 양자우물 및 N형 층의 세 부분으로 구성된 기판 위에 성장된 반도체 박막을 의미합니다. 질화 갈륨(GaN)은 현재 주류 에피택셜 재료이며, 일반적인 기판 재료는 사파이어, 실리콘 및 실리콘 카바이드의 세 가지 범주로 나뉩니다. 양자우물은 일반적으로 5주기 구조를 채택합니다. 금속유기화학기상증착법(MOCVD)이 주요 제조 공정입니다. LED 산업의 핵심 부문으로서 MOCVD 기술은 정교한 기술 전문성과 막대한 자본 투자가 필요합니다.
일반 에피택셜 층, 다층 구조 에피택셜 층, 초고저항성 에피택셜 층 및 초두꺼운 에피택셜 층 모두 실리콘 기판 위에 제조할 수 있습니다. 에피택셜 층의 저항률은 1,000 옴-cm를 초과할 수 있으며, P/P++, N/N++, N/N+, N/N+/N++, N/P/P 및 P/N/N+를 포함한 다양한 전도성 유형이 가능합니다.
실리콘 에피택셜 웨이퍼는 광범위한 반도체 장치 제조의 핵심 원자재로서 소비자 전자제품, 산업용 전자제품, 군용 전자제품 및 항공우주 전자제품에 널리 적용됩니다.
실리콘-온-사파이어(SOS) 기술은 본질적으로 이종 에피택셜 공정으로, 얇은 실리콘 박막(일반적으로 0.6μm 미만)이 사파이어 웨이퍼 위에 성장됩니다. SOS는 CMOS 장치용 실리콘-온-절연체(SOI) 에피택셜 기술 계열에 속합니다. 고유의 방사선 저항성 덕분에 SOS는 주로 항공우주 및 군용 전자 응용 분야에 배치됩니다.
고순도 합성 단결정 사파이어가 표준 기판 재료입니다. 실리콘 박막은 실란을 열분해하여 제조한 후 사파이어 기판 위에 실리콘을 증착하여 제작됩니다.
SOS의 주요 장점은 우수한 전기 절연 성능에 있으며, 이는 방사선으로 인한 누설 전류가 인접 부품으로 흐르는 것을 효과적으로 차단합니다. 그러나 SOS는 실리콘과 사파이어 간의 격자 불일치로 인해 발생하는 전위, 쌍정 및 적층 결함 때문에 고밀도 현대 트랜지스터 제조에 잘 적응하지 못해 상업적 대량 채택은 아직 요원합니다. 또한 기판 계면 근처의 실리콘 층은 사파이어 기판에서 확산된 알루미늄 오염 문제도 겪고 있습니다.
자주 묻는 질문
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